HOT CARRIERS INDUCED DEGRADATION IN THIN GATE OXIDE MOSFETs.

M. S. Liang*, C. Chang, W. Yang, Chen-Ming Hu, R. W. Brodersen

*此作品的通信作者

研究成果: Conference article同行評審

21 引文 斯高帕斯(Scopus)
原文English
頁(從 - 到)186-189
頁數4
期刊Technical Digest - International Electron Devices Meeting
DOIs
出版狀態Published - 1 12月 1983

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