Hole transport improvement in InGaN/GaN light-emitting diodes by graded-composition multiple quantum barriers
- C. H. Wang*
- , S. P. Chang
- , P. H. Ku
- , J. C. Li
- , Yu-Pin Lan
- , Chien-Chung Lin
- , H. C. Yang
- , Hao-Chung Kuo
- , Tien-chang Lu
- , S. C. Wang
- , C. Y. Chang
*此作品的通信作者
研究成果: Article › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）