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國立陽明交通大學研發優勢分析平台 首頁
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High quality Al
2
O
3
IPD with NH
3
surface nitridation
Yeong Yuh Chen
*
,
Chao-Hsin Chien
, Jen Chung Lou
*
此作品的通信作者
電子研究所
研究成果
:
Article
›
同行評審
6
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「High quality Al
2
O
3
IPD with NH
3
surface nitridation」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Al2O3 Oxide
50%
Aluminum Oxide
100%
As-deposited Films
50%
Breakdown Field
50%
Capacitors
100%
Charge to Breakdown
50%
Electrical Properties
50%
Electrical Reliability
50%
Electron Traps
50%
Leakage Current
50%
Low Dielectric Constant
50%
N-layer
50%
Nitridation
100%
Nitridation Treatment
50%
Post-annealing
50%
Post-deposition Annealing
50%
Property Characteristics
50%
Reliability Characteristics
50%
Si-N
50%
Surface Nitridation
100%
Trapping Rate
50%
Material Science
Al2O3
100%
Aluminum Oxide
20%
Annealing
20%
Capacitor
40%
Film
20%
Nitriding
100%
Permittivity
20%
Surface (Surface Science)
100%