High-Performance TiN/Al2O3/ZnO/Al2O3/TiN Flexible RRAM Device with High Bending Condition
Dayanand Kumar, Umesh Chand, Lew Wen Siang*, Tseung Yuen Tseng*
*此作品的通信作者
研究成果: Article › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）