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High-performance double-gate α-InGaZnO ISFET pH sensor using a HfO
2
gate dielectric
Chih Hung Lu,
Tuo-Hung Hou
, Tung Ming Pan
*
*
此作品的通信作者
電機工程學系
電子研究所
研究成果
:
Article
›
同行評審
40
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
指紋
深入研究「High-performance double-gate α-InGaZnO ISFET pH sensor using a HfO
2
gate dielectric」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
High Performance
100%
Double Gate
100%
Gate Dielectric
100%
HfO2
100%
Amorphous InGaZnO (a-IGZO)
100%
PH Sensor
100%
ISFET
100%
Top Gate
50%
Current Ratio
25%
ION-IOFF
25%
Threshold Voltage
25%
Low Subthreshold Swing
25%
PH-sensitive
25%
Dielectric Thickness
25%
Double Gate Structure
25%
Sensing Membrane
25%
Hysteresis Behavior
25%
Nernst Limit
25%
InGaZnO TFT
25%
Chemical Stability
25%
HfO2 Dielectric
25%
Drift Behavior
25%
Oxide Ion
25%
Engineering
Gate Dielectric
100%
Using Sensor
100%
Ion-Sensitive Field Effect Transistor
100%
Dielectrics
25%
Current Ratio
25%
Sensing Membrane
25%
Material Science
Dielectric Material
100%
Ion-Sensitive Field Effect Transistor
100%
Amorphous Material
25%
Gallium
25%
Zinc Oxide
25%
Indium
25%