High performance complementary Ge peaking FinFETs by room temperature neutral beam oxidation for sub-7 nm technology node applications
Y. J. Lee, T. C. Hong, F. K. Hsueh, P. J. Sung, C. Y. Chen, S. S. Chuang, T. C. Cho, S. Noda, Y. C. Tsou, K. H. Kao, C. T. Wu, T. Y. Yu, Y. L. Jian, C. J. Su, Y. M. Huang, W. H. Huang, B. Y. Chen, M. C. Chen, K. P. Huang, J. Y. Li
研究成果: Conference contribution › 同行評審
9
引文
斯高帕斯（Scopus）