Gate oxide thickness dependence of hot carrier induced degradation on PMOSFETs

Y. Hiruta*, H. Oyamatsu, H. S. Momose, H. Iwai, K. Maeguchi

*此作品的通信作者

研究成果: Conference contribution › 同行評審

8 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Gate oxide thickness dependence of hot carrier induced degradation on PMOSFETs」主題。共同形成了獨特的指紋。

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