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Gate length scaling and threshold voltage control of double-gate MOSFETs
L. Chang
*
, S. Tang
, T. J. King
, J. Bokor
,
Chen-Ming Hu
*
此作品的通信作者
國際半導體產業學院
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
146
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Gate length scaling and threshold voltage control of double-gate MOSFETs」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Gate Length
100%
Double-gate MOSFET
100%
Threshold Voltage Control
100%
Length Scaling
100%
Double Gate
33%
Work Function
33%
PMOS Device
33%
NMOS Device
33%
Off-state Leakage Current
33%
Device Scaling
33%
Short Channel
33%
Band-to-band Tunneling
33%
Dual Gate
33%
Channel Material
33%
Channel Doping
33%
Alternative Channel
33%
Gate Material
33%
Channel Activity
33%
Nanoscale Regime
33%
Quantum Tunneling
33%
Single Gate
33%
CMOS Integration
33%
Thermionic Emission
33%
Scale Issues
33%
Engineering
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Gate Length
100%
Tunnel Construction
66%
Nanoscale
33%
Device Scaling
33%
Material Science
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%