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國立陽明交通大學研發優勢分析平台 首頁
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Forming-Free SiGeOx/TiOy Resistive Random Access Memories Featuring Large Current Distribution Windows
Chun-Hu Cheng,
Albert Chin
, Hsiao-Hsuan Hsu
*
*
此作品的通信作者
電子研究所
研究成果
:
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同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Forming-Free SiGeOx/TiOy Resistive Random Access Memories Featuring Large Current Distribution Windows」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Freeform
100%
Current Distribution
100%
Resistive Random Access Memory (ReRAM)
100%
Large Current
100%
Tight
50%
Switching Energy
50%
Grain Boundary
50%
Oxygen Vacancy
50%
Vacancy Densities
50%
Retention Time
50%
Device Integrity
50%
High-flow Oxygen
50%
4-cycle
50%
Optimal Retention
50%
Low Current Switching
50%
Engineering
Current Distribution
100%
Resistive Random Access Memory
100%
Resistive
50%
Oxygen Vacancy
50%
Retention Time
50%
Optimal Cycle
50%
Material Science
Density
100%
Oxygen Vacancy
100%
Resistive Random-Access Memory
100%
Grain Boundary
100%
Physics
Current Distribution
100%
Oxygen Vacancy
50%
Grain Boundary
50%