First demonstration of heterogenous complementary FETs utilizing Low-Temperature (200 °c) Hetero-Layers Bonding Technique (LT-HBT)

T. Z. Hong, W. H. Chang, A. Agarwal, Y. T. Huang, C. Y. Yang, T. Y. Chu, H. Y. Chao, Y. Chuang, S. T. Chung, J. H. Lin, S. M. Luo, C. J. Tsai, M. J. Li, X. R. Yu, N. C. Lin, T. C. Cho, P. J. Sung, C. J. Su, G. L. Luo, F. K. HsuehK. L. Lin, H. Ishii, T. Irisawa, T. Maeda, C. T. Wu, W. C.Y. Ma, D. D. Lu, K. H. Kao, Y. J. Lee*, H. J.H. Chen, C. L. Lin, R. W. Chuang, K. P. Huang, S. Samukawa, Yi-Ming Li, Jenn-Hwan Tarng, Tien-Sheng Chao, M. Miura, G. W. Huang, W. F. Wu, J. Y. Li, J. M. Shieh, Y. H. Wang, W. K. Yeh

*此作品的通信作者

研究成果: Conference contribution同行評審

10 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「First demonstration of heterogenous complementary FETs utilizing Low-Temperature (200 °c) Hetero-Layers Bonding Technique (LT-HBT)」主題。共同形成了獨特的指紋。

Engineering & Materials Science

Physics & Astronomy

Chemical Compounds