Experimental investigation on the HBM ESD characteristics of CMOS devices in a 0.35-μm silicided process

Tung Yang Chen*, Ming-Dou Ker, Chung-Yu Wu

*此作品的通信作者

研究成果: Conference article同行評審

13 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Experimental investigation on the HBM ESD characteristics of CMOS devices in a 0.35-μm silicided process」主題。共同形成了獨特的指紋。

Keyphrases

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