ESD HBM Discharge Model in RF GaN-on-Si (MIS)HEMTs

Wei Min Wu, Ming Dou Ker*, Shih Hung Chen, Arturo Sibaja-Hernandez, Sachin Yadav, Uthayasankaran Peralagu, Hao Yu, Ali Reza Alian, Vamsi Putcha, Bertrand Parvais, Nadine Collaert, Guido Groeseneken

*此作品的通信作者

研究成果: Article › 同行評審

7 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「ESD HBM Discharge Model in RF GaN-on-Si (MIS)HEMTs」主題。共同形成了獨特的指紋。

Keyphrases

Earth and Planetary Sciences

Material Science

Chemical Engineering