ESD HBM Discharge Model in RF GaN-on-Si (MIS)HEMTs
W. M. Wu*, S. H. Chen, A. Sibaja-Hernandez, S. Yadav, U. Peralagu, H. Yu, A. Alian, V. Putcha, B. Parvais, G. Groeseneken, M. D. Ker, N. Collaert
*此作品的通信作者
研究成果: Conference contribution › 同行評審
3
引文
斯高帕斯（Scopus）