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Electron and hole effective g factors in InAs/GaSb quantum wells
A. Zakharova
*
,
S. T. Yen
, K. A. Chao
*
此作品的通信作者
研究成果
:
Article
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Electron and hole effective g factors in InAs/GaSb quantum wells」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Quantum Well
100%
GaSb
100%
Effective G-factor
100%
Landau Levels
100%
Level Structure
100%
G-factor
66%
Strong Dependence
33%
Magnetic Field
33%
Lattice Mismatch
33%
Heavy Hole
33%
Zero Magnetic Field
33%
Structure Factor
33%
Quantizing Magnetic Field
33%
Electric Magnetic Field
33%
Engineering
Quantum Well
100%
Magnetic Field
100%
Electron Level
33%
Physics
Quantum Wells
100%
Magnetic Field
100%
Earth and Planetary Sciences
Magnetism
100%