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ELECTRODEPOSITED NANO-TWINS COPPER LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Chih Chen (Inventor)

材料科學與工程學系
智慧半導體奈米系統技術研究中心

研究成果: Patent

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原文	English
專利號	US 10,094,033 B2
出版狀態	Published - 9 10月 2018

引用此

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RIS
Vancouver

Chen, C. (2018). ELECTRODEPOSITED NANO-TWINS COPPER LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME. (專利號 US 10,094,033 B2).

Chen, Chih (Inventor). / ELECTRODEPOSITED NANO-TWINS COPPER LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME. 專利號: US 10,094,033 B2. 10月 09, 2018.

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ELECTRODEPOSITED NANO-TWINS COPPER LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME. / Chen, Chih (Inventor).
專利號: US 10,094,033 B2. 10月 09, 2018.

研究成果: Patent

TY - PAT

T1 - ELECTRODEPOSITED NANO-TWINS COPPER LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

AU - Chen, Chih

PY - 2018/10/9

Y1 - 2018/10/9

M3 - Patent

M1 - US 10,094,033 B2

ER -

Chen C, 發明者. ELECTRODEPOSITED NANO-TWINS COPPER LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME. US 10,094,033 B2. 2018 10月 9.

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