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國立陽明交通大學研發優勢分析平台 首頁
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Electrical conductivity improvement of charged Ga vacancies in wurtzite GaN
Chih Shan Tan
電子研究所
研究成果
:
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指紋
指紋
深入研究「Electrical conductivity improvement of charged Ga vacancies in wurtzite GaN」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Charged Defects
100%
Complex Role
20%
Conductivity Improvement
100%
Crystalline Structure
20%
Density Functional Calculations
20%
Design Optimization
20%
Electrical Conductivity
100%
Electrical Properties
20%
Ga Vacancy
100%
Gallium Nitride
100%
N Vacancy
20%
Wurtzite
100%
Physics
Crystal Structure
20%
Density Functional Theory
20%
Electrical Property
20%
Electrical Resistivity
100%
Nitride
100%
Wurtzite
100%
Material Science
Crystal Structure
20%
Density
20%
Electrical Conductivity
100%
Gallium Nitride
100%