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Effect of formation temperature on quality of gate dielectric on germanium substrate
Erh Jye Wei,
Bing-Yue Tsui
, Pin Jiun Wu
研究成果
:
Conference contribution
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Effect of formation temperature on quality of gate dielectric on germanium substrate」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Aluminum Oxide
50%
Deposition Temperature
50%
Formation Temperature
100%
Gate Dielectric
100%
Gate Stack
100%
GeO2
100%
Germanium
50%
Germanium Substrate
100%
HfO2
50%
High-Tc Films
50%
Interface States
50%
Leakage Current
50%
Metal-insulator-semiconductor Structures
50%
Oxidation Temperature
50%
Plasma Oxidation
50%
Material Science
Al2O3
50%
Dielectric Material
100%
Film
50%
Germanium
100%
Oxidation Reaction
50%
Semiconductor Structure
50%