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Direct observation of Si delta-doped GaAs by transmission electron microscopy
D. G. Liu
*
, J. C. Fan
, C. P. Lee
,
Chia-Ming Tsai
, K. H. Chang
, D. C. Liou
, T. L. Lee
, L. J. Chen
*
此作品的通信作者
電子研究所
研究成果
:
Article
›
同行評審
13
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Direct observation of Si delta-doped GaAs by transmission electron microscopy」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Transmission Electron Microscopy
100%
Gallium Arsenide
100%
Doped Layers
100%
Delta Doping
100%
High-resolution Transmission Electron Microscopy (HRTEM)
25%
Low Temperature
25%
Dopant
25%
Low-temperature-grown GaAs
25%
Stacking Faults
25%
High Dose
25%
Uniformly Distributed
25%
Cluster Formation
25%
Engineering
Doped Gaas
100%
Direct Observation
100%
Doped Layer
100%
Gallium Arsenide
75%
Monolayers
75%
Low-Temperature
50%
Dopants
25%
High Resolution
25%
Cluster Formation
25%
Material Science
Gallium Arsenide
100%
Transmission Electron Microscopy
100%
Monolayers
60%
Doping (Additives)
20%
High-Resolution Transmission Electron Microscopy
20%
Crystal Defect
20%
Physics
Transmission Electron Microscopy
100%
High Resolution
50%
Crystal Defect
50%
Earth and Planetary Sciences
Transmission Electron Microscopy
100%
Crystal Defect
50%