Dielectric properties of nitric oxide-annealed gate oxides grown on nitrogen-implanted silicon substrates

Y. Y. Chen*, Chao-Hsin Chien, J. C. Lou

*此作品的通信作者

    研究成果: Article › 同行評審

    3 引文 斯高帕斯（Scopus）

    指紋

    深入研究「Dielectric properties of nitric oxide-annealed gate oxides grown on nitrogen-implanted silicon substrates」主題。共同形成了獨特的指紋。

    Keyphrases

    Material Science

    Engineering