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Design Space Exploration for Scaled FeFET Nonvolatile Memories: High-k Spacer as a Powerful Aid
You Sheng Liu, Yuan Yu Huang,
Pin Su
電機工程學系
智慧半導體奈米系統技術研究中心
研究成果
:
Conference contribution
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Design Space Exploration for Scaled FeFET Nonvolatile Memories: High-k Spacer as a Powerful Aid」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Memory Window
100%
Non-volatile Memory
100%
Design Space Exploration
100%
Ferroelectric Field-effect Transistor (FeFET)
100%
High-k Spacer
100%
Gate Length
33%
Interfacial Layer
33%
Electric Field (E-field)
33%
Write Operation
33%
Non-uniformity
33%
Downscaling
33%
TCAD Simulation
33%
Design Space
33%
Non-uniform Phase Distribution
33%
Material Science
Ferroelectric Material
100%