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Design of power-rail ESD clamp circuits with gate-leakage consideration in nanoscale CMOS technology
Ming-Dou Ker
, Chih Ting Yeh
電子研究所
研究成果
:
Chapter
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同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Design of power-rail ESD clamp circuits with gate-leakage consideration in nanoscale CMOS technology」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Nanoscale CMOS
100%
Gate Leakage
100%
Electrostatic Discharge
100%
Power Rail
100%
Clamp Circuit
100%
Integrated Circuits
27%
Discharge Events
18%
Electrostatic Discharge (ESD) Protection
18%
Stress Mode
18%
Different Voltage
9%
Off-state
9%
Input-output
9%
Operation Conditions
9%
Low Impedance
9%
Protection Scheme
9%
Human Body Model
9%
Machine Model
9%
Discharge Path
9%
Standby Leakage Current
9%
Voltage Potential
9%
Discharge Phenomena
9%
Charge Flow
9%
Engineering
Nanoscale
100%
Electrostatic Discharge
100%
Power Rail
100%
Integrated Circuit
23%
Protection Scheme
7%
Human Body Model
7%