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Design of 2.5V/5V mixed-voltage CMOS I/O buffer with only thin oxide device and dynamic N-well bias circuit
Ming-Dou Ker
*
, Chia Sheng Tsai
*
此作品的通信作者
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
25
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
指紋
深入研究「Design of 2.5V/5V mixed-voltage CMOS I/O buffer with only thin oxide device and dynamic N-well bias circuit」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Mixed-voltage
100%
Thin Oxides
100%
Bias Circuit
100%
CMOS Process
25%
CMOS Technology
25%
Proposed Design
25%
Leakage Current
25%
Gate Oxide Reliability
25%
Conventional CMOS
25%
Circuit Structure
25%
Double Oxide
25%
Simple Circuit
25%
Engineering
Gate Oxide
100%
Simple Circuit
100%
Material Science
Oxide Compound
100%
Electronic Circuit
100%