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Design and exploration of vertically stacked complementary tunneling field-effect transistors
Narasimhulu Thoti,
Yiming Li
*
*
此作品的通信作者
電信工程研究所
研究成果
:
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同行評審
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指紋
指紋
深入研究「Design and exploration of vertically stacked complementary tunneling field-effect transistors」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Tunnel Field-effect Transistor
100%
Vertically Stacked
100%
Technology Node
16%
Transistor Device
16%
Processing Difficulty
16%
Read Static Noise Margin
16%
Static Random Access Memory
16%
Physical Analysis
16%
Device Level
16%
DC Analysis
16%
Gross Margin Analysis
16%
Strict Compliance
16%
Engineering
Field-Effect Transistor
100%
Tunnel Construction
100%
Nodes
16%
Noise Margin
16%
Random Access Memory
16%
Material Science
Field Effect Transistor
100%