Design and Analysis of a High Linearity Full Ka-Band Stacked-FET Power Amplifier Using 0.15-μm GaAs pHEMT Process
Yun Che Hsieh, Guan Jhih Lin*, Zuo Min Tsai*, Tzu Hung Chen
*此作品的通信作者
研究成果: Article › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）