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Dependence of layout parameters on CDE (Cable Discharge Event) robustness of CMOS devices in A 0.25-μM salicided CMOS process

    研究成果: Conference contribution › 同行評審

    5 引文 斯高帕斯（Scopus）

    指紋

    深入研究「Dependence of layout parameters on CDE (Cable Discharge Event) robustness of CMOS devices in A 0.25-μM salicided CMOS process」主題。共同形成了獨特的指紋。
    排序方式

    Keyphrases

    Engineering

    Physics

    Material Science