Demonstration of Low EOT Gate Stack and Record Transconductance on L{rm{g}}=90 nm nFETs Using 1.8 nm Ferroic HfO2-ZrO2 Superlattice

W. Li*, L. C. Wang, S. S. Cheema, N. Shanker, J. H. Park, Y. H. Liao, S. L. Hsu, C. H. Hsu, S. Volkman, U. Sikder, A. J. Tan, J. H. Bae, C. Hu, S. Salahuddin

*此作品的通信作者

研究成果: Conference contribution › 同行評審

3 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Demonstration of Low EOT Gate Stack and Record Transconductance on L{rm{g}}=90 nm nFETs Using 1.8 nm Ferroic HfO2-ZrO2 Superlattice」主題。共同形成了獨特的指紋。

Keyphrases

Engineering

Material Science