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Deep Learning Approach to Estimating Work Function Fluctuation of Gate-All-Around Silicon Nanosheet MOSFETs with A Ferroelectric HZO Layer
Rajat Butola,
Yiming Li
*
, Sekhar Reddy Kola
*
此作品的通信作者
電信工程研究所
研究成果
:
Conference contribution
›
同行評審
2
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
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深入研究「Deep Learning Approach to Estimating Work Function Fluctuation of Gate-All-Around Silicon Nanosheet MOSFETs with A Ferroelectric HZO Layer」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Nanosheets
100%
Ferroelectric materials
87%
Deep learning
59%
Silicon
52%
Neural networks
20%
Chemical Compounds
Work Function
76%
Nanosheet
54%