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Damage-free plasma etching processes for future nanoscale devices
S. Samukawa
*
*
此作品的通信作者
電信工程研究所
研究成果
:
Conference article
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同行評審
4
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Damage-free plasma etching processes for future nanoscale devices」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Nanoscale Devices
100%
Plasma Etching Process
100%
Damage-free Plasma
100%
Neutral Beam
66%
Plasma Etching
33%
Surface Modification
33%
Organic Matter
33%
Inorganic Materials
33%
Fabrication Technology
33%
Nanodevices
33%
Etching Technology
33%
Etching Process
33%
Plasma Process
33%
Beam Source
33%
Sub-10 Nm
33%
Ultra-large-scale
33%
Integrated Device
33%
Etching Performance
33%
Pattern Size
33%
Neutral Beam Etching
33%
UV Photons
33%
Radiation Limits
33%
Photon Radiation
33%
Bottom-up Processing
33%
Charge Buildup
33%
Damage-free Etching
33%
Physics
Nanoscale
100%
Neutral Beams
100%
Plasma Etching
100%
Integrated Circuit
33%
Organic Material
33%
Plasma Process
33%
Material Science
Plasma Etching
100%
Nanodevice
50%
Surface Modification
50%