Complementary metal-oxide-silicon field-effect transistors fabricated in 4-MeV boron-implanted silicon

K. W. Terrill*, P. F. Byrne, Chen-Ming Hu, N. W. Cheung

*此作品的通信作者

研究成果: Article同行評審

14 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「Complementary metal-oxide-silicon field-effect transistors fabricated in 4-MeV boron-implanted silicon」主題。共同形成了獨特的指紋。

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