Comparison of oxide breakdown progression in ultra-thin oxide SOI and bulk pMOSFETs

C. T. Chan*, C. H. Kuo, C. J. Tang, M. C. Chen, Ta-Hui Wang, S. Huang Lu, H. C. Hu, T. F. Chen, C. K. Yang, M. T. Lee, D. Y. Wu, J. K. Chen, S. C. Chien, S. W. Sun

*此作品的通信作者

    研究成果: Paper同行評審

    指紋

    深入研究「Comparison of oxide breakdown progression in ultra-thin oxide SOI and bulk pMOSFETs」主題。共同形成了獨特的指紋。

    Engineering & Materials Science