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Comparative leakage analysis of GeOI FinFET and Ge bulk FinFET
Vita Pi Ho Hu
, Ming Long Fan
,
Pin Su
, Ching Te Chuang
國立陽明交通大學
研究成果
:
Article
›
同行評審
24
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Comparative leakage analysis of GeOI FinFET and Ge bulk FinFET」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Fin Field-effect Transistor (FinFET)
100%
Germanium-on-insulator (GeOI)
100%
Germanium
100%
Bulk Substrate
100%
Leakage Analysis
100%
Band-to-band Tunneling
50%
Tunnel Leakage
50%
Circuit Level
16%
Circuit Design
16%
Gate Length
16%
Leakage Reduction
16%
Device Design
16%
Channel Doping
16%
High Threshold Voltage
16%
Device Level
16%
Technology Options
16%
Underlap
16%
Bipolar Effect
16%
Engineering
Tunnel Construction
100%
Circuit Design
33%
Gate Length
33%
Technology Option
33%
Earth and Planetary Sciences
Threshold Voltage
100%
Physics
Threshold Voltage
100%