跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立陽明交通大學研發優勢分析平台 首頁
English
中文
首頁
人員
單位
研究成果
計畫
獎項
活動
貴重儀器
影響
按專業知識、姓名或所屬機構搜尋
Compact Modeling of N- and P-Type GAA NS FETs Using Physical-Based Artificial Neural Networks with Temperature Dependence
Yun Dei
*
, Ya Shu Yang,
Yiming Li
*
此作品的通信作者
電信工程研究所
研究成果
:
Conference contribution
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Compact Modeling of N- and P-Type GAA NS FETs Using Physical-Based Artificial Neural Networks with Temperature Dependence」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Temperature Effect
100%
P-type
100%
Artificial Neural Network
100%
Compact Modeling
100%
Physical-based
100%
NSFET
100%
Compact Model
50%
Circuit Simulation
16%
Drain Current
16%
Physical Parameters
16%
Gate-all-around
16%
Transfer Characteristics
16%
Berkeley Short-channel IGFET Model-common multigate (BSIM-CMG)
16%
Physical Equation
16%
Output Parameters
16%
Engineering
Field Effect Transistor
100%
Temperature Dependence
100%
Artificial Neural Network
100%
Circuit Simulation
16%
Current Drain
16%
Physical Parameter
16%
Nanosheet
16%
Output Parameter
16%
Material Science
Field Effect Transistor
100%
Electronic Circuit
50%
Nanosheet
50%