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Comment on 'Electron-phonon scattering in Sn-doped In2O 3 FET nanowires probed by temperature-dependent measurements'
Juhn-Jong Lin
*
, Chih Yuan Wu
*
此作品的通信作者
物理研究所
研究成果
:
Comment/debate
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指紋
指紋
深入研究「Comment on 'Electron-phonon scattering in Sn-doped In2O 3 FET nanowires probed by temperature-dependent measurements'」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Electron scattering
97%
Phonon scattering
95%
Indium
68%
Nanowires
65%
Nanotechnology
60%
Field effect transistors
56%
Oxides
45%
Temperature
21%
Chemical Compounds
Electron-Phonon Scattering
100%
Nanowire
45%
Oxide
28%