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CMOS-RRAM Based Non-Volatile Ternary Content Addressable Memory (nvTCAM)
Manoj Kumar, Ming Hung Wu,
Tuo Hung Hou
, Manan Suri
*
*
此作品的通信作者
電子研究所
前瞻半導體研究所
研究成果
:
Article
›
同行評審
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「CMOS-RRAM Based Non-Volatile Ternary Content Addressable Memory (nvTCAM)」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Non-volatile
100%
Resistive Random Access Memory (ReRAM)
100%
Memory-based
100%
Ternary Content Addressable Memory
100%
Transistor
33%
Memory Cell
33%
High Resistance State
33%
Memory Design
33%
Power Supply
16%
Energy Efficiency
16%
Energy Saving
16%
Proposed Design
16%
64-bit
16%
Monte Carlo Simulation
16%
Low Resistance State
16%
Non-volatile Memory
16%
Area-efficient
16%
1-bit
16%
Mode Switch
16%
Word Length
16%
Magnetic Ferroelectrics
16%
Memory Unit
16%
Energy Parameters
16%
Complementary Resistive Switching
16%
2T2R
16%
Delay Parameter
16%
Area Saving
16%
1T1R Cell
16%
V-effect
16%
Engineering
Resistive Random Access Memory
100%
Energy Conservation
50%
High Resistance State
50%
Energy Efficiency
25%
Power Supply
25%
Resistive
25%
Nonvolatile Memory
25%
Material Science
Resistive Random-Access Memory
100%
Transistor
50%
Ferroelectric Material
25%