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Characterization on ESD devices with test structures in silicon Germanium RF BiCMOS process
Ming-Dou Ker
*
, Woei Lin Wu, Chyh Yih Chang
*
此作品的通信作者
研究成果
:
Paper
›
同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Characterization on ESD devices with test structures in silicon Germanium RF BiCMOS process」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
BiCMOS Technology
100%
Electrostatic Discharge
100%
Silicon-germanium
100%
Discharge Device
100%
SiGe HBT
40%
Diode
20%
On chip
20%
Low Voltage
20%
P-n Junction
20%
Protection Design
20%
Human Body Model
20%
Transmission Line Pulse Generator
20%
Layout Parameters
20%
Engineering
Electrostatic Discharge
100%
Test Structure
100%
Heterojunctions
40%
Bipolar Transistor
40%
Electric Lines
20%
Human Body Model
20%
Pulse Generator
20%
Computer Science
Protection Design
100%
Pulse Generator
100%
Transmission Line
100%
Material Science
Silicon
100%
Germanium
100%
Heterojunction
50%
Bipolar Transistor
50%
Physics
Electrostatics
100%
Heterojunctions
40%
Bipolar Transistor
40%
Transmission Line
20%
Medicine and Dentistry
Pulse Generator
100%