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Characterization of Slow Traps in SiGe MOS Interfaces by TiN/Y2O3 Gate Stacks
T. E. Lee
*
, K. Toprasertpong, M. Takenaka, S. Takagi
*
此作品的通信作者
國立陽明交通大學
研究成果
:
Conference contribution
›
同行評審
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Characterization of Slow Traps in SiGe MOS Interfaces by TiN/Y2O3 Gate Stacks」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
SiGe
100%
Yttrium Oxide
100%
Gate Stack
100%
Slow Traps
100%
MOS Interface
100%
Interfacial Layer
60%
Trimethylaluminum
40%
Slow Trap Density
40%
Silica
20%
Trap Density
20%
Electron Traps
20%
Electron Density
20%
Hole Trapping
20%
Vacancy Defects
20%
Ge Content
20%
Slow Electrons
20%
High Ge Content
20%
Chemistry
Trap Density Measurement
100%
formation
66%
Phase Composition
33%
Hole Trap
33%
Electron Trap
33%
Material Science
Density
100%
Phase Composition
25%