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Characterization of 4H-SiC PMOSFET with P
+
Poly-Si Gate
Chia Lung Hung,
Bing Yue Tsui
電子研究所
研究成果
:
Conference contribution
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總覽
指紋
指紋
深入研究「Characterization of 4H-SiC PMOSFET with P
+
Poly-Si Gate」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Poly-Si
100%
PMOSFET
100%
4H-SiC
100%
High Performance
20%
CMOS Inverter
20%
Threshold Voltage
20%
High Threshold Voltage
20%
Voltage Transfer Characteristics
20%
SiC Technology
20%
Engineering
Polysilicon
100%
Inverter
50%