Breakdown up to 13.5 kV in NiO/β-Ga2O3 Vertical Heterojunction Rectifiers

Jian Sian Li, Hsiao Hsuan Wan, Chao Ching Chiang, Timothy Jinsoo Yoo, Meng Hsun Yu, Fan Ren, Honggyu Kim, Yu Te Liao, Stephen J. Pearton*

*此作品的通信作者

研究成果: Article › 同行評審

18 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Breakdown up to 13.5 kV in NiO/β-Ga2O3 Vertical Heterojunction Rectifiers」主題。共同形成了獨特的指紋。

Keyphrases

Engineering

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