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Body-tied germanium FinFETs directly on a silicon substrate
Che Wei Chen
*
, Cheng Ting Chung, Guang Li Luo,
Chao-Hsin Chien
*
此作品的通信作者
研究成果
:
Article
›
同行評審
14
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Body-tied germanium FinFETs directly on a silicon substrate」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Silicon Substrate
100%
Germanium MOSFET
100%
Body-tied
100%
Field-effect Transistors
66%
P-channel
66%
Diode
33%
On-state Current
33%
Si Substrate
33%
Drive Current
33%
Channel Length
33%
ION-IOFF
33%
Channel Potential
33%
Short Channel Effects
33%
Metal Gate Stack
33%
Drain Induced Barrier Lowering
33%
High Hole Mobility
33%
Misfit Dislocation
33%
Subthreshold Characteristics
33%
FinFET Structure
33%
Si Heterojunction
33%
Engineering
Si Substrate
100%
Heterojunctions
100%
Metal Gate
100%
Silicon Substrate
100%
Channel Length
100%
Illustrates
100%
Gate Stack
100%
Misfit Dislocation
100%
Material Science
Transistor
100%
Silicon
100%
Germanium
100%
Heterojunction
50%
Hole Mobility
50%
Dislocation (Crystal)
50%