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人員
單位
研究成果
計畫
獎項
活動
貴重儀器
影響
Bipolar self-doping in ultra-wide bandgap spinel ZnGa
2
O
4
Z. Chi
, Fu Gow Tarntair
, M. Frégnaux
, Wan Yu Wu
, C. Sartel
, I. Madaci
, P. Chapon
, V. Sallet
, Y. Dumont
, A. Pérez-Tomás
,
R. H. Horng
*
, E. Chikoidze
*
*
此作品的通信作者
電子研究所
新世代功能性物質研究中心
研究成果
:
Article
›
同行評審
54
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「Bipolar self-doping in ultra-wide bandgap spinel ZnGa
2
O
4
」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Material Science
Epilayers
100%
ZnO
100%
Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
100%
Magnetoresistance
100%
Oxide Semiconductor
100%
Zinc
100%
Optical Spectroscopy
100%
Wide Bandgap Semiconductor
100%
Atomic Spectroscopy
100%
Keyphrases
Spinel
100%
ZnGa2O4
100%
Self-doping
100%
Ultra-wide Bandgap
100%
Metal-organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
14%
Anions
14%
Order of Magnitude
14%
Epilayer
14%
P-type
14%
High Temperature
14%
Hole Conduction
14%
Large Band Gap
14%
Antisite
14%
Oxygen Flow
14%
Current Energy
14%
Oxide Semiconductor
14%
Acceptor Level
14%
Donor Concentration
14%
Optical Spectroscopy
14%
Wide Band Gap Semiconductors
14%
Advanced Applications
14%
Deep UV
14%
Precursor Ratio
14%
Electrical Transport
14%
Negative Magnetoresistance
14%
Variable Range Hopping
14%
Chalcogens
14%
Impurity Band
14%
Ultrahigh Power
14%
Zn-rich
14%
Transport Spectroscopy
14%
Intrinsic Conductivity
14%
Free Hole
14%
Unique Self
14%
Zinc Gallate
14%
Deep Acceptor
14%
Spinel Supergroup
14%
Cation Coordination
14%
Atomic Spectroscopy
14%