Atomic-layer etching of GaN by using an HBr neutral beam

Daisuke Ohori, Takahiro Sawada, Kenta Sugawara, Masaya Okada, Ken Nakata, Kazutaka Inoue, Daisuke Sato, Hideyuki Kurihara, Seiji Samukawa*

*此作品的通信作者

研究成果: Article › 同行評審

7 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「Atomic-layer etching of GaN by using an HBr neutral beam」主題。共同形成了獨特的指紋。

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