ArF-line high transmittance attenuated phase shift mask blanks using amorphous Al 2 O 3 -ZrO 2 -SiO 2 composite thin films for the 65-, 45- and 32-nm technology nodes

Fu Der Lai*, Jui Ming Hua, C. Y. Huang, Fu-Hsiang Ko, L. A. Wang, C. H. Lin, C. M. Chang, S. Lee, Gia Wei Chern

*此作品的通信作者

研究成果: Article同行評審

1 引文 斯高帕斯(Scopus)

指紋

深入研究「ArF-line high transmittance attenuated phase shift mask blanks using amorphous Al 2 O 3 -ZrO 2 -SiO 2 composite thin films for the 65-, 45- and 32-nm technology nodes」主題。共同形成了獨特的指紋。

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