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An ESD-protected 5-GHz differential low-noise amplifier in a 130-nm CMOS process
Yuan Wen Hsiao
*
,
Ming-Dou Ker
*
此作品的通信作者
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
6
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
指紋
深入研究「An ESD-protected 5-GHz differential low-noise amplifier in a 130-nm CMOS process」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
130 Nm CMOS
100%
Clamping Device
33%
CMOS Process
100%
Differential Input
66%
Differential Low Noise Amplifier
100%
ESD Current
33%
ESD Protection Design
100%
ESD Protection Device
33%
ESD Robustness
66%
Input Matching Network
33%
Input-output
33%
Low Noise Amplifier
33%
Noise Figure
33%
Power Consumption
33%
Power Gain
33%
Power Supply
33%
Radio Frequency
33%
Radio Frequency Performance
33%
Stress Conditions
33%
Engineering
Differential Input
50%
Electric Power Utilization
25%
Experimental Result
25%
Low Noise Amplifier
100%
Matching Network
25%
Noise Figure
25%
Power Gain
25%
Power Supply
25%
Radio Frequency
50%
Stress Condition
25%