An assessment of single-electron effects in multiple-gate SOI MOSFETs with 1.6-nm gate oxide near room temperature

Wei Lee*, Pin Su, Hou Yu Chen, Chang Yun Chang, Ke Wei Su, Sally Liu, Fu Liang Yang

*此作品的通信作者

    研究成果: Conference contribution同行評審

    原文English
    主出版物標題2005 International Semiconductor Device Research Symposium
    頁面175-176
    頁數2
    DOIs
    出版狀態Published - 1 12月 2005
    事件2005 International Semiconductor Device Research Symposium - Bethesda, MD, 美國
    持續時間: 7 12月 20059 12月 2005

    出版系列

    名字2005 International Semiconductor Device Research Symposium
    2005

    Conference

    Conference2005 International Semiconductor Device Research Symposium
    國家/地區美國
    城市Bethesda, MD
    期間7/12/059/12/05

    引用此