跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立陽明交通大學研發優勢分析平台 首頁
English
中文
在 國立陽明交通大學研發優勢分析平台 搜尋內容
首頁
人員
單位
研究成果
計畫
獎項
活動
貴重儀器
影響
Amorphous indium Gallium Zinc oxide thin film transistors with different source/drain electrodes
Gao Ming Wu
, Yi Shin Chu
*
, Yi Teh Chou
, Han Ping D. Shieh
, Li Feng Teng
,
Po-Tsun Liu
, Chi Neng Mo
, Mei Tsao Chiang
, Huai An Li
*
此作品的通信作者
光電工程學系
研究成果
:
Paper
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「Amorphous indium Gallium Zinc oxide thin film transistors with different source/drain electrodes」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Electrical Characteristics
100%
Amorphous InGaZnO (a-IGZO)
100%
Zinc Oxide Thin Films
100%
Oxide Thin-film Transistors
100%
Source-drain Electrode
100%
Rutile
50%
Electrical Performance
50%
Electrode Materials
50%
Contact Resistance
50%
Threshold Voltage
50%
Passivation Layer
50%
Low Contact Resistance
50%
Small Shift
50%
Interaction with Environment
50%
GZO Thin Film
50%
Al-Au
50%
Material Science
Electrical Property
100%
Thin-Film Transistor
100%
Gallium
100%
Zinc Oxide
100%
Indium
100%
Indium Tin Oxide
100%
Contact Resistance
100%
Thin Films
50%
Titanium
50%