Abruptness of Ge composition at the Si/SiGe interface grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
W. C. Tsai*, C. Y. Chang, T. G. Jung, T. S. Liou, G. W. Huang, T. C. Chang, L. P. Chen, Horng-Chih Lin
*此作品的通信作者
研究成果: Article › 同行評審
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引文
斯高帕斯（Scopus）