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A Wideband Linear GaN-on-SiC Power Amplifier using Harmonic-Tuning Technique for 5G NewRadio FR2 Applications
Yi Fan Tsao
*
,
Heng Tung Hsu
*
此作品的通信作者
前瞻半導體研究所
半導體工程學系
國立陽明交通大學
智慧半導體奈米系統技術研究中心
國際半導體產業學院
研究成果
:
Conference contribution
›
同行評審
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指紋
指紋
深入研究「A Wideband Linear GaN-on-SiC Power Amplifier using Harmonic-Tuning Technique for 5G NewRadio FR2 Applications」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
GaN-on-Si
100%
Power Amplifier
100%
Wideband
100%
Tuning Techniques
100%
Harmonic Tuning
100%
Power Added Efficiency
66%
Design Techniques
33%
High Linearity
33%
Average Output Power
33%
Peak Power
33%
Linear Power Amplifier
33%
Millimeter-wave Applications
33%
Device Technology
33%
Psat
33%
Average Power
33%
Tuning Range
33%
Quadrature Amplitude Modulation
33%
Highly Linear
33%
Overall Efficiency
33%
Error Vector Magnitude
33%
Saturated Output Power
33%
Small-signal Gain
33%
Stacked-FET
33%
Millimeter-wave Amplifier
33%
SiC Devices
33%
Continuous-wave Excitation
33%
Configuration Tuning
33%
Engineering
Power Amplifier
100%
Harmonics
100%
Output Power
66%
Millimeter Wave
66%
Power Added Efficiency
66%
Experimental Result
33%
Field Effect Transistor
33%
Amplifier
33%
Design Technique
33%
Continuous Wave
33%
Peak Power
33%
Average Power
33%
Signal Gain
33%
Error Vector
33%
Quadrature Amplitude Modulation
33%
Material Science
Field Effect Transistor
100%