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國立陽明交通大學研發優勢分析平台 首頁
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A Unified Statistical Analysis of Comprehensive Fluctuations of Gate-All-Around Silicon Nanosheet MOSFETs Induced by RDF, ITF, and WKF Simultaneously
Sekhar Reddy Kola,
Yiming Li
*
, Chieh Yang Chen, Min Hui Chuang
*
此作品的通信作者
電信工程研究所
研究成果
:
Conference contribution
›
同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「A Unified Statistical Analysis of Comprehensive Fluctuations of Gate-All-Around Silicon Nanosheet MOSFETs Induced by RDF, ITF, and WKF Simultaneously」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Doping (additives)
24%
MOSFET devices
25%
Nanosheets
100%
Silicon
52%
Statistical methods
55%
Surface potential
59%
Threshold voltage
24%