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國立陽明交通大學研發優勢分析平台 首頁
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A Novel Camel Diode Gate GaAs FET
W. Kopp, T. J. Drummond,
Ta-Hui Wang
, H. Morkoç, S. L. Su
電子研究所
研究成果
:
Article
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同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「A Novel Camel Diode Gate GaAs FET」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Field effect transistors
100%
Diodes
86%
Molecular beam epitaxy
36%
Transconductance
28%
Electrons
23%
Chemical Compounds
Length
55%
Transconductance
48%
Molecular Beam Epitaxy
44%
Schottky Barrier
42%
Velocity
26%
Electron Particle
16%