A new series resistance and mobility extraction method by BSIM model for nano-scale MOSFETs

William P.N. Chen*, Pin Su, J. S. Wang, C. H. Lien, C. H. Chang, K. Goto, C. H. Diaz

*此作品的通信作者

    研究成果: Conference contribution同行評審

    8 引文 斯高帕斯(Scopus)
    原文English
    主出版物標題2006 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications, VLSI-TSA - Proceedings of Technical Papers
    頁面143-144
    頁數2
    DOIs
    出版狀態Published - 1 12月 2006
    事件2006 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications, VLSI-TSA - Hsinchu, 台灣
    持續時間: 24 4月 200626 4月 2006

    出版系列

    名字International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications, Proceedings

    Conference

    Conference2006 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications, VLSI-TSA
    國家/地區台灣
    城市Hsinchu
    期間24/04/0626/04/06

    引用此